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门极驱动器

高性能氮化镓(GaN)、IGBT、MOSFET、电隔离、光隔离和SiC MOSFET驱动器，是高功率应用的理想选择。这些驱动器是为实现高系统能效、高可靠性、短传播延迟等而设计的。这些门极驱动器的理想性能特征使其能够满足汽车、工业、云电源和计算应用的要求
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